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半导体研发再突破!1nn有了新进展

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创头条 2021-05-15 14:19 抢发第一评

创头条5月15日消息    中国台湾大学、台积电与麻省理工学院(MIT)共同发表研究,首度提出利用「半金属铋」(Bi)作为二维材料的接触电极,可大幅降低电阻并提高电流,使其效能几与硅一致,有助实现未来半导体1纳米的挑战。

这项研究已于《Nature》 期刊公开发表。

据了解,目前硅基半导体主流制程,已进展至五纳米及三纳米节点,芯片单位面积能容纳的电晶体数目,也将逼近半导体主流材料「硅」的物理极限,芯片效能无法再逐年显著提升。一直以来科学界对二维材料寄予厚望,却苦于无法解决二维材料高电阻、及低电流等问题,以至于取代硅成为新兴半导体材料一事,始终无进展。

此次由台大、台积电与麻省理工学院共同发表的研究,终于获得突破性研究成果。

据悉,使用铋为接触电极的关键结构后,二维材料电晶体的效能不但与硅基半导体相当,又有潜力与目前主流的硅基制程技术相容,有助于未来突破摩尔定律的极限。

虽然目前还处于研究阶段,但该成果能替下世代芯片提供省电、高速等绝佳条件,未来可望投入人工智能、电动车、疾病预测等新兴科技的应用。

所属栏目: 智能制造
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